Beyond 5G/6G時代を支える半導体光デバイス技術
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特徴・優位性
- 空間多重された光信号の一括受信可能な25GHz級の高密度・高集積PDアレイ
- 単一デバイスで100GHzまでの高速応答が可能な、光電変換デバイス
- 量子ドットウェハ製造技術
用途・応用分野
- Beyond 5G/6Gに適用可能な次世代光通信基盤
- 大容量かつ省電力な光ネットワーキング
- サーバ間光インターコネクト
概要
身近な中短距離での光ファイバ通信を実現するために、小型・高機能集積ICTデバイスを開発しています。特に化合物半導体等の材料を用いて、高品質結晶成長からデバイス設計、実際のデバイス試作までを行い、超小型・広帯域波長可変光源や高集積・二次元受光素子アレイに関する基盤技術を研究開発しています。代表的なデバイスの特長は以下のとおりです。
- 例１） 高集積・二次元受光素子アレイ
- 25GHz級の高密度・高集積PDアレイで、空間多重された光信号の一括受信可能
- 例２） 高速光電変換デバイス
- 単一デバイスでは100GHzまでの高速応答可能な素子
このほか集積光デバイスの研究開発も実施しています。さらに、緊密な産学官連携により実用化に必要な部品やシステムの周辺技術も研究しています(2025年6月19日更新)
Beyond 5G/6G時代を支える半導体光デバイス技術
関連情報
- プレスリリース：
- 特許：504468号 6362402号 6884948号 6940866号
- 文献：Tunable Dual-Wavelength Heterogeneous Quantum Dot Laser Diode With a Silicon External Cavity,” J. Light. Tech. 36. p. 219 (2018)
- プレスリリース：
- 2025.04.10.世界初、光ファイバ通信向けの実用的な面発光レーザの開発に成功(https://www.nict.go.jp/press/2025/04/10-1.html)
- 2017.09.14.世界初、多数の光信号を同時に電気信号に変換する高速集積型受光素子を開発(https://www.nict.go.jp/press/2017/09/14-1.html)
- 特許：504468号 6362402号 6884948号 6940866号
- 文献：Tunable Dual-Wavelength Heterogeneous Quantum Dot Laser Diode With a Silicon External Cavity,” J. Light. Tech. 36. p. 219 (2018)
担当部門
ネットワーク研究所 フォトニックICT研究センター 光アクセス研究室
ネットワーク研究所 フォトニックICT研究センター 光アクセス研究室(https://www.nict.go.jp/accesslab/top.html)
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